RM30TB-M
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
RM30TB-M datasheet
-
МаркировкаRM30TB-M
-
ПроизводительMitsubishi Electric Corporation
-
ОписаниеIntegrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules: 250V
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
25.05.2024
24.05.2024
22.05.2024